■体裁:B5版468ページ
■発刊:2000/05/28
■ISBNコード:4-89808-023-5

【編集者】
服部 毅 ソニー

【執筆者】
服部 毅 ソニー/ 北島 洋 日本電気/ 山本 秀和 三菱電機/
嵯峨幸一郎 ソニー/ 福田 哲生 富士通/ 清水 博文 日本大学/
足立 元明, 奥山喜久夫 大阪府立大学, 広島大学/
山川 洋幸 日本真空技術/ 斉藤 昭男 日立製作所/
稲葉 仁 高砂熱学工業/ 滝山 真功 ニッテツ電子/
森永 均 三菱化学/ 嵯峨幸一郎/ 鈴木 浩助 富士通/
嶋崎 綾子 東芝/ 宮崎 守正 住友金属工業/ 嶋崎 綾子 東芝/
籔本 周邦 NTTアドバンステクノロジ/ 北野 友久 日本電気/
保坂 純男 日立製作所/ 米田 健司 松下電子工業/
灘原 壮一 東芝/ 大川 章 日立製作所/
大場 隆之 半導体先端テクノロジーズ/ 平野 義文 宮崎沖電気/
鎌田 正 日立製作所/ 大塚 伸宏 日立製作所/ 林 喜宏 日本電気/
宮嶋 基守 富士通/ 舟橋 倫正 日立製作所/ 三由 裕一 松下電子工業/
森永 均 三菱化学/ 津金 賢 日立製作所/ 佐藤 一夫 日立製作所/
小寺 雅子, 宮下 直人 東芝/ 津金 賢, 神保 智子 日立製作所/
伊藤 隆司 富士通研究所/ 渡辺 悟 富士通研究所/ 青砥なほみ 日本電気

※所属、肩書き等は本書発刊当時のものです。

【序文】
1995年2月に発刊した初版を全面刷新。先端デバイスの製造におけるウェーハ表面のクリーン化技術の指針を示すガイドブックの決定版!!
≡ 新版の特色 ≡
初版の基本スタンスである「シリコンウェーハ表面のクリーン化」を継承し、初版発刊時点から5年近く経過しており、システムLSI製造などの先端デバイスの製造にふさわしい新情報を追加し、内容を全面的に刷新している。
各章でパーティクルのみならず、金属汚染、化学汚染(有機物、アミン、 ボロン、 リン……等)について取り上げている。
著者自身の研究成果だけでなく、著者以外の方々の重要かつ基本的な文献も紹介し、ウェーハ表面のクリーン化の指針を示すガイドブックとしての内容としている。特に初版発刊以降の過去5年間の最新情報をできるだけ多く取り上げ、初版の購読者にも十分役立つ最新の内容としている。
「第5章 シリコンウェーハプロセスのクリーン化」についてデバイスメーカの方が執筆しており、研究や製造現場で実際取り組んだご経験をもとに、きるだけマニファクチャリング・サイエンスの観点からまとめている。・最新の話題として、ウェーハ上の化学汚染(アミン、有機汚染など)の問題とその対策、多層金属配線工程やCMP工程、枚葉スピン洗浄、特にCu配線工程におけるクリーン化の問題点とその対策を随所に追加している。

【目次】

《第1章》
序　論

超LSI製造におけるクリーン化技術の現状と将来
シリコンウェーハ表面からの視点で
1.はじめに
2.ウェーハ表面のクリーン化の重要性
2.1　パーティクル汚染の現状
2.2　金属汚染の現状
2.3　化学汚染の制御
3.クリーン化技術の将来
3.1　スーパークリーンルームからミニエンバイロンメントへ
3.2　汚染除去から汚染防止へ
3.3　製造ラインのクリーン化から地球環境のクリー
ン化へ
3.4　ノウハウからサイエンスへ
4.おわりに

《第2章》
コンタミネーションのデバイス特性・歩留りへの影響
第1節　パーティクルのデバイス特性・歩留まりへの影響
1.はじめに
2.パーティクルの発生原因
3.パーティクル付着の影響
4.歩留まりへの影響とパーティクル管理
5.今後の課題

第2節　金属汚染のデバイス特性・歩留まりへの影響
1.はじめに
2.デバイス製造における金属汚染の混入
2.1　ウェーハ製造中の金属汚染の混入
2.2　デバイス製造中の金属汚染の混入
3.金属汚染のデバイスへの直接的な影響
3.1　金属汚染による酸化膜耐圧の劣化
3.2　金属汚染による増速酸化
3.3　金属汚染による接合リーク電流の増加
4.金属汚染の間接的な影響
4.1　金属汚染/ピット不良の影響
4.2　金属汚染/ピット不良の評価方法
4.3　金属汚染/ピット不良の発生メカニズム
4.4　金属汚染/ピット不良の改善
5.金属不純物のゲッタリング
5.1　ゲッタリング手法
5.2　エピウェーハにおける近接ゲッタリング
5.3　SOIウェーハとゲッタリング
6.今後の展望

第3節　化学汚染のデバイス特性・歩留まりへの影響
1.はじめに
2.有機汚染
2.1　ゲート酸化前に吸着した有機物による酸化膜の耐圧劣化
2.2　ゲート酸化後に吸着した有機物による酸化膜の耐圧劣化
2.3　ウェーハ表面吸着有機物のCVDに及ぼす影響
3.塩基性ガス汚染
4.酸性ガス汚染
5.ドーパント汚染
6.今後の方向

第4節　シリコン結晶のデバイス特性・歩留まりへの影響
1.はじめに
2.CZウェーハとデバイス特性
2.1　従来のCZウェーハとデバイス不良
2.2　改良CZウェーハのデバイス特性
2.3　改良CZウェーハの課題
3.エピウェーハとデバイス特性
4.シリコンウェーハの今後の動向
4.1　SOIウェーハ
4.2　300 mmウェーハ

第5節　表面マイクロラフネスのデバイス特性・歩留まりへの影響
1.はじめに
2.マイクロラフネスのデバイス特性に関するパイオニア的研究
3.CZ結晶の微小欠陥とCOP
4.MOSデバイスにおけるゲート酸化膜特性におよぼすマイクロラフネスの影響
5.MOSデバイスにおける素子分離不良
6.エピタキシャル成長層によるSi表面改質
7.p−/p−エピウェーハの課題:コスト低減
8.まとめ

《第3章》
シリコンウェーハ表面へのコンタミネーションの付着・挙動と防止策

第1節　気相中におけるパーティクル付着・挙動と防止策
1.クリーンルーム中のパーティクル付着・挙動と防止策
1.1　パーティクルの発生
1.2　パーティクルの運動と沈着
1.2.1　パーティクルの運動
1.2.2　パーティクルの輸送
1.2.3　気流からの沈着
1.3　ウェーハへの付着と再飛散
2.プラズマ中のパーティクル付着・挙動と防止策
2.1　パーティクルの発生と運動
2.2　パーティクルの沈着
2.2.1　RFプラズマCVD
2.2.2　ECRプラズマCVD
2.3　沈着の抑制

第2節　真空中・減圧下のパーティクル付着・挙動
1.はじめに
2.低真空領域での挙動と付着
3.高真空領域での挙動と付着
4.排気, ベントでの振る舞い
5.真空中の摺動部からのパーティクルの発生
6.プラズマ中の振る舞い
7.今後の課題

第3節　液中におけるパーティクル付着と付着防止技術
1.はじめに
2.付着に影響する要因
2.1　溶液中のイオン濃度
2.2　ゼータ電位
2.3　粒子径
3.パーティクル付着防止技術
3.1　界面活性剤
3.2　界面活性剤添加によるフッ酸中でのパーティクル付着防止効果
4.今後の展望

第4節　静電気によるパーティクル付着と防止技術
1.はじめに
2.プロセスにおける帯電の実態
3.静電気力による粒子付着
4.帯電防止技術
4.1　電気抵抗値制御による対策
4.2　電荷供給による対策
4.2.1　イオナイザ
4.2.2　USX照射除電技術
4.2.3　VUV照射除電技術
5.まとめ

第5節　シリコンウェーハ表面に付着した金属不純物の熱処理挙動
1.はじめに
2.金属不純物の化学反応性, 拡散・固溶性
2.1　金属不純物の化学反応
2.2　拡散・固溶性
2.3　Si-SiO2系における金属不純物の挙動
3.金属不純物による形状・電気特性の異常
3.1　形状異常の実際
3.2　Siの酸化特性への影響
3.3　電気特性異常の実際
4.金属汚染問題の課題と対策
4.1　これからの金属汚染問題の課題
4.2　金属汚染抑止策と今後の課題
5.今後の展望

第6節　液中における金属汚染の付着とその防止策
1.ウェットプロセス中の金属汚染の付着
2.洗浄工程における金属汚染の付着挙動
3.金属汚染の付着機構
3.1　pH-電位図の活用とその限界
3.2　金属汚染付着機構の分類
3.3　ベアSi表面への電気化学的付着
3.4　アルカリ溶液中の金属水酸化物の付着
4.金属汚染の付着防止策
4.1　貴金属の電気化学的付着の防止
4.1.1　三相系のpH-電位図の研究
4.1.2　希フッ酸溶液中の貴金属付着の防止
4.1.3　界面活性剤, キレート剤の効果
4.2　アルカリ溶液中における金属水酸化物付着の防止
5.今後の展望

第7節　シリコンウェーハ表面吸着有機物の吸着挙動と防止
1.はじめに
2.有機物の種類による表面吸着の選択性
3.表面状態による有機物吸着の選択性
4.Siウェーハ表面の有機物の脱離挙動
5.おわりに

《第4章》
シリコンウェーハ表面の分析評価技術

第1節　ウェーハ表面のパーティクル汚染の計測・分析技術
1.はじめに
2.ウェーハ上のパーティクル計測
2.1　鏡面ウェーハ上のパーティクル計測
2.1.1　パーティクル計測の原理
2.1.2　パーティクル検出の高感度化
2.1.3　パーティクルとCOPとの弁別
2.1.4　膜付きウェーハ上でのパーティクル検出
2.2　パターン付きウェーハ上のパーティクル計測
2.3　半導体製造ラインでのパーティクル計測
3.ウェーハ上のパーティクルの分析
3.1　ウェーハ上のパーティクル分析法
3.2　ウェーハ付着パーティクル分析システム
3.3　超LSIプロセスにおけるパーティクルの分析例
3.3.1　リソグラフィ工程での分析例
3.3.2　イオン注入工程での分析例
3.3.3　リアクティブイオンエッチング工程での分析例
3.3.4　PVD工程での分析例
3.3.5　ウェット洗浄工程での分析例
3.4　欠陥データ収集解析システム
4.今後の展望

第2節　パターン欠陥の検査評価技術
1.はじめに
2.各種パターン欠陥検査方式の使い分け
2.1　光学画像比較検査方式
2.2　レーザー散乱式検査方式
2.3　SEM画像比較欠陥検査方式
3.SEM画像比較方式の活用
3.1　セルフアラインコンタクトの観察
3.2　n+ポリSiプラグとSi基盤コンタクトにおける電位コントラスト
3.3　0.25 mm DRAM ストレージ電極検査への応用
3.4　他の用途
4.今後の課題と展望

第3節　ウェーハ表面の金属汚染の分析評価技術
1.ウェーハ表面の金属汚染と分析評価技術
2.化学分析
2.1　前処理技術
2.1.1　気相分解法(VPD法)
2.1.2　WSA法
2.1.3　その他の方法
2.2　測定装置
2.2.1　フレームレス原子吸光法
2.2.2　誘導結合プラズマ質量分析法
3.物理分析
3.1　全反射蛍光X線分析(TXRF)
3.1.1　原　理
3.1.2　測定元素と検出限界
3.1.3　面内分布と深さ方向分布
3.2　その他の方法
4.今後の展望

第4節　ウェーハ表面の金属汚染の電気的評価
1.はじめに
2.ウェーハ評価
2.1　m-PCD法
2.1.1　原　理
2.1.2　表面金属不純物のt1への影響
2.2　SPV法
2.2.1　原　理
2.2.2　SPV測定方法
2.2.3　表面金属汚染の再結合ライフタイム(tr)への影響
2.2.4　表面状態評価法
2.2.5　表面Cu汚染によるSへの影響
3.MOS構造評価
3.1　発生ライフタイム評価
3.1.1　測定方法
3.1.2　表面金属不純物の発生ライフタイムへの影響
3.2　酸化膜の信頼性
3.2.1　酸化膜耐圧
3.2.2　TDDB
3.2.3　表面Fe不純物の酸化膜の信頼性への影響
4.今後の課題

第5節　ウェーハ表面の有機物の分析評価技術
1.ウェーハ表面の有機物汚染と評価技術
2.ウェーハ表面有機物分析技術
2.1　脱離抽出によるマクロな分析手法
2.1.1　加熱脱離-GC/MS
2.1.2　昇温脱離-APIMS
2.1.3　溶媒脱離-GC/MS
2.2　ATR-FTIR
2.3　ビームアナリシスのミクロな分析手法
2.3.1　TOF-SIMS
2.3.2　AES, XPS
2.4　その他の方法
2.4.1　荷電粒子放射化分析
2.4.2　純水抽出-TOC他
3.ウェーハ表面有機汚染分析例
3.1　クリーンルーム放置ウェーハ分析
3.2　吸着有機物とデバイス特性
4.今後の課題

第6節　ウェーハ表面の吸着分子の分析
1.ウェーハ表面の分析法
2.昇温脱離分析法
2.1　概　要
2.2　装置構成
2.3　有機物汚染分析のGC-MSとTDS
3.吸着分子の分析
3.1　水　素
3.2　水
3.3　有機物系成分
3.3.1　HF洗浄面に観察される有機物汚染
3.3.2　IPAの影響
3.3.3　テフロン治具の影響
3.4　酸・アルカリイオン類
4.今後の展望

第7節　デバイスおよびシリコン結晶の欠陥解析と制御
1.はじめに
2.ゲート酸化膜特性の欠陥解析と制御
3.n/p接合特性に関する欠陥解析と制御
4.ウェーハに関する欠陥解析と制御
5.今後の展望

第8節　ウェーハ表面の局所微細構造の評価技術
−SEM/SIMS/STM/AFMを中心に−
1.はじめに
2.電子/イオン/光を用いた評価技術
2.1　電子線による微細構造の評価技術
2.1.1　走査電子顕微鏡(SEM)による評価
2.1.2　透過型電子顕微鏡(TEM)による評価
2.2　イオン線による評価
2.3　光による微細構造の評価技術
2.4　SEM, SIMS使用上の注意点
3.STM/AFMによるSi表面微小部評価技術
3.1　STMおよびAFM
3.1.1　STMの原理
3.1.2　AFMの原理
3.1.3　観察領域および試料サイズ
3.2　STMおよびAFMによる表面観察
3.2.1　STMによる動的表面観察
3.2.2　結晶成長下のその場観察
3.2.3　アニール中でのその場観察
3.2.4　初期酸化過程の観察
3.2.5　水素終端されたSi表面の観察
3.2.6　AFMによる原子オーダーの観察
3.3　ナノメートルオーダーの半導体表面計測
3.3.1　絶縁物の表面モフォロジ評価
3.3.1.1　酸化膜の耐圧の劣化
3.3.1.2　浮遊ゲート下の酸化膜の劣化
3.3.1.3　Si酸化メカニズム
3.3.1.4　Si表面平坦化と水素終端
3.3.2　Siファセット面に依存した自然酸化膜の耐圧
3.3.3　ポリSi電極/SiO2界面の評価
3.3.4　ポリSi表面の不純物分布
3.3.5　Si-pn接合部の観察
3.3.6　走査型容量顕微鏡
3.3.7　ケルビンフォース顕微鏡
3.3.8　その他の計測法
3.4　STM, AFM使用上の注意点
4.おわりに

第9節　製造ラインにおけるクリーン度評価
1.はじめに
2.プロセスラインのクリーン度評価
2.1　MOSキャパシタによるクリーン度評価
2.2　アンテナ付きMOSキャパシタを用いたチャージアップ評価
2.3　PN接合ダイオードによる重金属の評価
3.インラインのクリーン度評価技術
3.1　ウェーハライフタイムによる重金属評価
3.2　非接触エアギャップCV測定によるインラインモニタリング
3.3　全反射蛍光X線分析
4.クリーン度評価と今後の課題

《第5章》
シリコンウェーハプロセスのクリーン化

第1節　酸化・拡散プロセスのクリーン化
1.はじめに
2.熱処理炉のクリーン化
2.1　 熱処理ウェーハ自体による持ち込み
2.2　ウェーハ搬入時の外気の持ち込み
2.3　反応管を通した不純物拡散
2.4　雰囲気ガスによる持ち込み
3.今後の展望

第2節　絶縁膜形成CVDプロセスのクリーン化
1.CVDのクリーン化の目的
2.CVDプロセスの原理と用途
2.1　常圧CVD
2.2　減圧CVD
2.3　プラズマCVD
3.パーティクル発生要因の考察と低減
3.1　パーティクル発生要因
3.2　原料ガス供給系のクリーン化
3.3　常圧CVDのクリーン化
3.4　減圧CVDのクリーン化
3.5　プラズマCVDのクリーン化
4.今後の展望

第3節　金属配線形成プロセスのクリーン化
1.はじめに
2.クリーン化技術の現状と課題
2.1　微細化と超精密成膜における課題
2.2　プロセスから見たクリーン化技術
2.3　多層配線における課題
3.固相反応によるクリーニング
3.1　理想界面と実際のTi/Si界面
4.ドライクリーンニング
4.1　ドライクリーニングの利点
4.2　化学的ドライクリーニング
4.3　ドライクリーニングと接触抵抗
5.次世代クリーニング技術

第4節　ドライエッチングプロセスのクリーン化
1.はじめに
2.パーティクル汚染
2.1　発生要因
2.2　パーティクル汚染の実態
2.3　デバイスへの影響
2.4　管理手法
3.金属汚染と化学汚染
3.1　汚染の実態
3.2　デバイスへの影響
3.3　管理手法
4.今後の展望

第5節　イオン注入プロセスにおけるクリーン化
1.はじめに
2.イオン注入プロセスおよび装置
2.1　イオン注入プロセス
2.2　イオン注入装置
2.3　イオン注入による汚染の種類
3.ウェーハ表面のクリーン化
3.1　ケミカルコンタミネーションおよび対策
3.2　付着パーティクル
3.3　有機物汚染
4.ウェーハ裏面のクリーン化
4.1　裏面汚染のメカニズム
4.2　裏面のクリーン化対策
5.まとめ
5.1　表面のクリーン化
5.2　裏面のクリーン化
6.将来展望

第6節　リソグラフィプロセスのクリーン化
1.リソグラフィにおけるクリーン化技術
2.パターン形状欠陥
2.1　パターン形状欠陥と露光プロセス
2.2　パターン形状欠陥とレジストプロセス
3.パターン加工精度と重ね合わせ精度
3.1　パターン加工精度・重ね合わせ精度と露光プロセス

3.2　パターン加工精度とレジストプロセス
4.ウェーハ汚染および損傷
4.1　ウェーハ汚染
4.2　ウェーハ損傷
5.今後の展望

第7節　CMPプロセスのクリーン化
1.はじめに
2.層間膜CMP
2.1　CMP工程の概略
2.2　層間絶縁膜平坦化メカニズム
2.3　スラリ組成とCMP特性
2.3.1　スラリ物性の基礎
2.3.2　加工速度とパーティクル除去性
3.メタルCMP
3.1　メタルCMPとダマシン配線
3.2　メタルCMP後洗浄
3.3　クリーン化に向けたメタルCMPの技術革新
4.今後の課題

第8節　Cuプロセスのクリーン化
1.Cu配線プロセス
2.装置のCu処理専用化の必要性と工程搬送
3.Cu CMPの後洗浄
3.1　ウェーハのエッジと裏面洗浄の課題
3.2　ウェーハ表面洗浄の課題
4.CMP後処理の最近の動き
5.今後の展望

第9節　プロセスインテグレーションによるクリーン化
1.はじめに
2.クラスタツールによるプロセス改善
2.1　ゲート酸化膜
2.2　キャパシタ工程
2.3　低抵抗コンタクト
2.4　CMP
3.クラスタツールの問題点
4.今後の展望

《第6章》
シリコンウェーハの洗浄技術

第1節　ウェーハ洗浄技術の現状と課題
1.はじめに
2.今後も主流のウェット洗浄
2.1　RCA洗浄法
2.2　RCA洗浄の見直し
2.3　巨大な洗浄装置の見直し
2.4　洗浄シーケンスの見直し
2.5　浸漬式洗浄の見直し
2.6　ウェーハ乾燥の見直し
3.将来が期待されるドライ洗浄
4.ウェーハ表面汚染の測定評価
5.今後の展望

第2節　ウェット洗浄による汚染除去
第1項　ウェット洗浄によるパーティクル除去
1.ウェット洗浄によるパーティクル除去
2.APM洗浄によるパーティクル除去
2.1　パーティクル除去メカニズム
2.2　APM洗浄の問題点と解決方法
3.今後のウェット洗浄のパーティクル除去

第2項　ウェット洗浄による金属汚染除去
1.はじめに
2.従来洗浄法の効果
3.金属汚染の洗浄メカニズム
3.1　汚染金属の溶解
3.2　液中金属の再付着防止の重要性
3.3　酸, 酸化剤(pH-電位)の効果
3.4　膜中金属汚染の除去に対するエッチングの効果
3.5　酸化剤濃度の効果
3.6　金属酸化物粒子の除去
4.貴金属汚染洗浄とシリコン表面荒れ
5.金属汚染の新しい洗浄技術
5.1　オゾン水, 電解イオン水の利用による薬液使用量の削減
5.2　DHF/酸化剤混合液
5.3　動的洗浄法
5.4　キレート剤添加洗浄剤
6.今後の展望

第3項　ウェット洗浄による有機物除去
1.ウェット洗浄によるレジスト剥離
2.ウェット洗浄による吸着有機物の除去
2.1　オゾン添加超純水による吸着有機物除去
2.2　フッ酸による有機物除去

第3節　ウェット洗浄後の乾燥技術
1.はじめに
2.乾燥技術
2.1　スピン乾燥
2.2　IPA蒸気乾燥
2.3　IPAマランゴニ乾燥
2.4　IPA引き上げ乾燥
3.乾燥技術の評価
3.1　表面吸着物質の評価
3.2　乾燥後の自然酸化膜成長
4.ウォーターマークの課題と対策
4.1　生成メカニズム
4.2　ウォーターマークの抑制
5.今後の展望

第4節　枚葉スピン洗浄技術
第1項　RCA代替洗浄−オゾン水・希フッ酸繰り返し枚葉スピン洗浄
1.はじめに
2.SCROD方式の開発
3.パーティクルの除去効果
4.金属汚染の除去効果
5.有機物の除去効果
6.ウェーハ表面のマイクロラフネス
7.薬液と純水の使用量削減
8.排気や廃液の削減
9.おわりに

第2項　スクラブ洗浄
1.はじめに
2.スクラブ洗浄の必要性
3.スクラブ洗浄技術
3.1　ブラシスクラブ洗浄
3.2　ジェットスクラブ洗浄
3.3　超音波スクラブ洗浄
4.今後の展望

第3項　CMP後の洗浄
1.はじめに
2.CMP後の洗浄プロセス
2.1　SiO2CMP
2.1.1　SiO2CMPの適用工程
2.1.2　SiO2CMPの後洗浄
2.2　ポリSi CMP
2.2.1　ポリSi CMPの適用工程
2.2.2　ポリSi CMPの後洗浄
2.3　メタルCMP
2.3.1　メタルCMPの適用工程
2.3.2　メタルCMPの後洗浄
3.新しいCMP後洗浄技術および装置
3.1　超純電解水によるCMP後洗浄
3.2　電解水による洗浄
3.3　CMP後洗浄装置
4.まとめ

第4項　洗浄−成膜の連続枚葉処理技術
1.はじめに
2.有機物汚染の酸化膜絶縁耐圧への影響
3.有機物脱離特性解析
4.洗浄と成膜の連続枚葉処理技術
4.1　装置の構成
4.2　洗浄チャンバの性能
5.おわりに

第5節　ドライ洗浄
1.はじめに
2.パーティクル除去
3.有機汚染除去
4.金属汚染除去
4.1　パイロケミカルクリーン
4.2　化学気相クリーニング(CVC)
4.3　光励起ドライ洗浄
5.自然酸化膜除去
5.1　HFガスエッチング
5.2　紫外線励起F2/H2処理
5.3　HF/CH3OHベーパー洗浄
6.今後の展望

第6節　自然(化学)酸化膜と水素終端
1.はじめに
2.洗浄による酸化膜, 化学酸化膜の構造
3.熱処理による化学酸化膜の変質
4.水素終端シリコン表面の構造
5.フッ酸中での水素終端表面の形成過程
6.洗浄中の水素終端表面の酸化過程

第7節　ウェーハキャリアおよびボックスの問題点とその対策
1.ウェーハキャリアによる汚染の問題
2.フッ素樹脂製ウェーハキャリアの問題点
2.1　化学汚染の発生
2.2　パーティクルの発生
3.プラスチック製キャリア/ウェーハボックスによる有機汚染の問題点
4.ボックスに保管したウェーハの表面吸着有機物の同定
5.低添加剤ボックスの実現

第8節　先端デバイス製造における洗浄プロセス
1.はじめに
2.洗浄の基本機能
3.高性能達成のための洗浄技術
3.1　先端デバイス製造における高性能達成のための課題
3.2　微細構造内洗浄の課題
3.3　先端デバイスの高性能洗浄の課題(微細構造以外)
4.高生産性のための洗浄技術

第9節　次世代洗浄技術のあるべき姿
1.高性能と高生産性の両立への指針
1.1　新しい洗浄薬液
1.2　新しい洗浄プロセス
1.3　新しい洗浄装置の指針
2.微細構造内洗浄の課題解決の指針
2.1　液浸入・置換性の向上
2.2　粒子・金属汚染・堆積物の除去性の向上
2.3　薬液成分残留の抑制
2.4　形状変化・膜質変化の抑制
2.5　構造底部の表面状態制御
3.インテグレーションの活用:洗浄を生かす生産ライン
3.1　プロセス・インテグレーション
3.2　クリーンルーム技術とのインテグレーション
3.3　ライン構成とのインテグレーション
4.今後の洗浄技術