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RLB100032
高性能半導体プロセス用分析・評価技術
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■体裁:B5版233ページ
■発刊:1992/05/28
■ISBNコード:4-947655-53-4
【執筆者】
服部健雄、佐藤光義 武蔵工業大学、セイコー電子工業/
本間芳和、鈴木峰晴、籔本周邦、黒沢 賢 日本電信電話/
坂井文樹、安武正敏、西村敏哉 セイコー電子工業/
大見忠弘、宮下雅之、寺本章伸、牧原康二、 東北大学/
坪内和夫、益 一哉 東北大学/ 秋山伸幸 日立製作所/
服部 毅、小谷田作夫 ソニー/ 松下嘉明、土屋憲彦、影山もくじ 東芝/
一条和夫、坪内和夫 リオン、東北大学/
三木正博、米沢 昴、渡辺 明、村瀬玄一、 橋本化成、東北大学/
榊原 裕、籔本周邦、雨宮稔起、河合和彦、 日本電信電話、日本IBM、三洋電機、
エール・リボート・ラボラトリーズ、日本電気、大阪酸素工業、日本酸素
※所属、肩書き等は本書発刊当時のものです。
【目次】
第1章 高性能分析評価技術の重要性
第2章 ESCAによる極表面構造の高感度検出
1. はじめに
2. ESCA-300
2.1 光電子アナリシスシステム
2.2 極表面の分析
2.3 エネルギー分解能
第3章 走査表面電子顕微鏡による原子ステップ構造観察
1. はじめに
2. 装置
3. SEMによる単原子層ステップの観察
4. 微斜Si(111)表面のステップ構造
5. シリコン酸化膜表面のステップ構造
6. むすび
第4章 半導体表面評価用STM/AFM
1. はじめに
2. 原理
2.1 STMの原理
2.2 AFMの原理
3. 装置の例
3.1 SPI3600プローブステーション
3.2 光学顕微鏡と複合化したSTM
3.3 液体中(電気化学)用STM
3.4 AFM
4. STM, AFM装置の課題と展望
第5章 半導体表面マイクロラフネスのデバイス特性への影響
1. 概要
2. はじめに
3. 実験
4. 結果・考察
4.1 表面マイクロラフネスのデバイス特性に与える影響
4.2 Cz, FZ, Epiウエハの表面マイクロラフネスの違い
4.3 HF-H2O2洗浄による表面マイクロラフネスへの影響
5. まとめ
第6章 走査形μ RHEED顕微鏡による極微小領域結晶構造解析
1. はじめに
2. 走査形μ RHEED顕微鏡の開発
2.1 走査形μ RHEED顕微鏡の特徴
2.2 RHEED電子銃
2.3 回折電子線検出器
3. 多結晶薄膜のグレイン観察
3.1 グレインの面内回転
3.2 多結晶Siの観察
3.3 Cu薄膜の観察
4. エレクトロマイグレーションその場観察
4.1 エレクトロマイグレーション
4.2 実験方法
4.3 エレクトロマイグレーションその場観察結果
5. SiO2上Alの熱処理による単結晶化その場観察
5.1 はじめに
5.2 CVD法によるビアホール完全平坦化
5.3 SiO2上Alの熱処理による単結晶化
6. むすび
第7章 表面極微小パーティクル評価
1. はじめに
2. ヘアウエハ上のパーティクル検出
2.1 検出原理と課題
2.2 検出装置
3. パターン付ウエハ上のパーティクル検出
3.1 検出原理と課題
3.2 特徴抽出方式
3.3 比較検査方式
4. パーティクルの同定
4.1 XMA一体形パーティクル分析装置
4.2 顕微赤外分光光度計
5. まとめ
第8章 ウエハ付着パーティクルの分析評価
1. Introduction
2. System Description
2.1 Hardware
2.2 Procedure
3. Application of this System
3.1 Photolithography application
3.2 Ion implantation application
3.3 Reactive ion etching application
3.4 Particle-reduction strategy
4. Summary and Future Requirments
第9章 全反射蛍光X線による極微量不純物評価
1. はじめに
2. 表面不純物のデバイスへの影響
3. ウエハ表面不純物評価
4. 全反射蛍光X線分析装置開発
5. TREXによる汚染分布評価
5.1 全反射蛍光X線分析の原理
5.2 TREXによる不純物の面内分布測定
5.3 TREXによる不純物の深さ方向分布測定
5.4 TREX法の超高感度化
6. 今後の課題
第10章 Process-Induced Particle評価
1. はじめに
2. 従来型パーティクルカウンター
2.1 測定原理
2.2 実際例と問題点
3. フローセル型パーティクルカウンター
3.1 構成
3.2 特性
4. CVD装置内の粒子測定
5. スランガス中の粒子測定
5.1 ガスラインの種類と粒子数
5.2 露点と粒子数
5.3 シランガスに酸素, 水分を添加した場合の粒子数
6. まとめ
第11章 ICPスペクトロメトリーによる薬液中極微量不純物の評価
1. 超高純度薬液の絶対純度評価の意義
2. Absolute Characterization
3. ICP Spectrometryの特徴
3.1 ICP Spectrometryの発展過程
3.2 ICP励起能力とレスポンスエネルギーの抽出効率
3.3 ICP Spectrometryの感度および能力
4. 清浄評価システム
5. ICP Spectrometryによる評価例
6. シリコンウエハ表面清浄性の薄膜評価法
7. まとめ
第12章 APIMSによる高純度窒素ガス中水分の定量法
1. はじめに
2. 微量水分測定系の構成
2.1 概要
2.2 APIMS
2.3 水分発生器
2.4 希釈器
2.5 配管系
3. 微量水分測定法および検量線作成方法
3.1 準備操作
3.2 測定
3.3 検量線
4. 微量水分測定例
4.1 測定条件例
4.2 イオン強度測定例
4.3 検量線作成例
5. 検量線の確からしさと変動要因
5.1 検量線の検証法
5.2 検量線の変動要因
6. おわりに