■体裁:A4版475ページ
■発刊:1999/07/28
■ISBNコード:4-89808-017-0

【執筆者】
池野昌彦 三菱電機/ 槌谷孝裕 富士通/
平野義文 宮崎沖電気/ 浅野徹 大日本スクリーン製造/
三輪和弘 富士通VLSI/ 樋口靖 日本真空技術/ 中村直人 国際電気/
重田厚, 依田孝 東芝/ 長田俊彦 富士通/ 鈴木道夫 日立プラント建設/
後藤孝之, 加藤忠雄 アシスト/ 渡辺健二 (株)日立製作所/
服部寿 ケーエルエー・テンコール/ 八掛保夫
日立電子エンジニアリング/ 足立達哉 セイコーインスツルメンツ/
江口純一, 大木貞嗣 日本電子/ 伴功二 三菱電機/
滝山真功 ニッテツ電子/ 倉知郁生 沖電気工業/ 滝山真功 ニッテツ電子/
大湯静憲, 平岩篤, 糸賀敏彦, 由上二郎, 大 日立製作所/
佐野正和, 藤野允克 住友シチックス/ 倉知郁生 沖電気工業/
清水博文 日本大学/ 滝山真功 ニッテツ電子/ 内田英次 沖電気工業/
国井泰夫 国際電気/ 倉知郁生 沖電気工業/ 永瀬正規 富士通VLSI/
辻幹生 日本電気/ 黒井隆 三菱電機/ 逸見学 日本電信電話/
西萩一夫 テクノス/ 籔本周邦 NTTアドバンステクノロジ/
滝山真功 ニッテツ電子/ 中山潤, 米原隆夫 キヤノン/
池田聡 沖電気工業/ 河合義夫 日本電信電話/
岡田育夫 NTTアドバンステクノロジ/ 伊藤雅樹 日立製作所/
神保智子 日立製作所/ 高橋秀人, 阪田総一郎 高砂熱学工業/
伴功二 三菱電機/ 白水好美 日本電気/ 徳永直子, 三重野文健 富士通/
辻幹生 日本電気/ 長沢佳克 東レリサーチセンター

【序文】
LSIの微細化が進む中、汚染の低減は半導体製造の最大課題の一つであり、その解決には多くの努力が必要になってきた。このためにはシリコンウェーハなどの材料、製造、または検査設備、ファシリティなど供給系にも汚染の低減が要求され、デバイスメーカと供給メーカが協力して低減に向かわなければならないが、汚染に対する仕様はデバイスメーカ、またはその技術者によりまちまちで供給メーカの設計をどうするか困惑している状況である。このような状況ではデバイスメーカ間で共通の仕様を提示することが経済的にLSIを製造するポイントであるが、現状ではデバイスメーカも見解が定まらない状況にある。

【目次】
第1章パーティクル汚染の実態
1.1パーティクル汚染の実態調査
1.2パーティクルとパターン欠陥の関係,歩留りに及ぼす影響(理論的な予測)
1.3発生源
1.3.1ULSI製造プロセスにおけるパーティクル/パターン欠陥の形態と発生源
1.3.2リソグラフィ装置(コータ/デベロッパ)におけるパーティクル,パターン欠陥対策
1.3.3プラズマエッチング装置におけるパーティクル
1.3.4スパッタリング装置におけるパーティクル対策
1.3.5CVD装置におけるパーティクル対策
1.3.6CMP装置におけるパーティクル,スクラッチ対策
1.4付着防止,低減策
1.4.1パーティクル汚染の付着防止,低減(総論)
1.4.2クリーンルーム中パーティクルの低減策
1.4.3ウェーハの汚染からの隔離,付着防止策
1.5工程管理と評価分析
1.5.1パーティクル/パターン欠陥検査データの解析と統計処理,工程管理への適用
1.5.2ウェーハ上のパーティクル/パターン欠陥検出と工程管理における課題
1.5.30.1μm以下のパーティクル/パターン欠陥計測における課題
1.5.4パーティクル/パターン欠陥の観察と計測における課題
1.5.5パーティクル/パターン欠陥の観察と解析における課題
1.6低減策/洗浄による除去

第2章金属汚染の実態
2.1金属汚染の実態調査
2.2金属汚染のロードマップ
2.2.1金属汚染許容量に関するSIAのロードマップ
2.2.2接合リーク電流からの許容汚染レベルの検討
2.2.3ゲート絶縁破壊を中心とした金属汚染許容量の推定
2.2.4洗浄効率と洗浄前の金属汚染のロードマップ
2.3.デバイス特性の影響
2.3.1金属汚染のデバイスヘの影響
参考資料1微細p-n接合のリーク電流
参考資料2重金属不純物の振る舞いとゲッタリング
2.3.2シリコンプロセスにおける金属汚染のデバイス特性への影響
2.3.3トータルプロセスにおけるゲート耐圧不良発生要因
2.3.4COPによるゲート絶縁破損
2.3.5金属汚染によるゲート絶縁破壊
2.3.6金属汚染によるTDDB特性の劣化
2.4発生源
2.4.1LSI製造における金属汚染発生源の実態(全体像)
2.4.2トータルプロセスにおける金属汚染の発生
2.4.3イオン注入により導入される金属汚染
2.5除去,効果の低減
2.5.1洗浄メカニズムと最新の洗浄技術
2.5.2ゲッタリングの有効性と今後の方向
2.6評価分析
2.6.1金属汚染の分析
2.6.2p型,n型Siの再結合ライフタイムを利用した金属汚染推定法
2.6.3全反射蛍光X線による微量重金属不純物測定

第3章化学汚染(有機物,無機物)の実態
3.1化学汚染の実態調査
3.2影響
3.2.1化学汚染が影響するLSI製造プロセス・デバイス特性
3.2.2結合SOIウェーハへのボロンとリン汚染
3.2.3薄いゲート酸化膜の絶縁耐圧に及ぼす有機汚染の影響
3.2.4化学汚染のリソグラフィ工程への影響
3.2.5X線露光における化学汚染の影響
3.3発生源
3.3.1LSI製造プロセスにおける化学汚染の発生源
3.3.2ウェーハキャリア・ボックスから発生する有機物汚染
3.3.3フィルタを汚染源とする化学汚染
3.4低減策
3.4.1有機物汚染のデバイスへの影響と対策
3.4.2化学汚染の熱プロセスによる低減
3.5評価分析
3.5.1ULSI製造における有機物汚染の実態
3.5.2化学汚染の検出技術
3.5.3GC/MS,TOF-SIMSによる有機物の評価