■体裁:A4版229ページ
■発刊:1998/06/28
■ISBNコード:4-89808-010-3

【執筆者】
岸野正剛 姫路工業大学/金田寛 富士通/
羽深等 信越半導体/橋本正幸 アプライドマテリアルズジャパン/
星野甲子夫 信越化学工業/太田豊 信越半導体/
山本秀和 三菱電機/酒井勲美 日本電気/
村中雅也 日立超LSIシステムズ/ 田中研一 シャープ/
浅山英一 住友シチックス/ 定光信介 住友シチックス/
竹野博 信越半導体/ 清水博文 日立製作所/
八掛保夫 日立電子エンジニアリング/小飯塚正明、金田寛 富士通/
原徹 法政大学/ 吉田知佐 信越半導体/島貫康 三菱マテリアルシリコン/
出水清史 三菱電機/ 今井正人 スーパーシリコン研究所/
鈴木誉也 日立製作所/米原隆夫 キヤノン

※所属、肩書き等は本書発刊当時のものです。

【目次】

第1章　MOSデバイスエピタキシャルウェーハへのニーズ
第1節　デバイス特性のニーズから
　1.バイポーラLSIに必須なエピタキシャルウェーハ
　2.エピタキシャル構造ウェーハの特徴
　3.エピタキシャルウェーハの有用性の今日的な意味
　4.超LSI用MOSデバイスに特有なニーズ
　5.まとめ
第2節　プロセスの観点から
　1.今なぜエピか?
　2.CZウェーハの結晶欠陥とデバイス欠陥
　3.引き上げ条件改善ウェーハと無酸化膜アニールウェーハ
　4.無酸化膜アニールウェーハにおける表層無欠陥化機構とその効果
　5.水素アニールウェーハの特徴とエピウェーハとの比較
　6.エピウェーハの特徴と今後の課題
　7.まとめ

第2章　MOSデバイスエピタキシャルウェーハ製造
第1節　エピタキシャル成長技術(概論,　機構,　シミュレーション)
　1.概論
　2.エピタキシャル成長機構
　3.数値シミュレーション
第2節　MOSLSI用エピタキシャル成長装置
　1.エピタキシャル成長装置の動向
　2.200mm枚葉式エピタキシャル装置
　3.枚葉式エピタキシャル装置要素技術
　4.今後の課題
　5.おわりに
第3節　MOSエピタキシャルウェーハ製造用ガス材料
　1.エピウェーハ製造用ガスの市場規模
　2.製造法
　3.エピウェーハ製造用ガスの一般物性
　4.エピウェーハ製造用ガスの安全性
第4節　MOSエピタキシャルウェーハ製造の問題点
　1.フラットネス
　2.パーティクルおよびLAD(Large　Area　Defect)
　3.重金属汚染
　4.マイクロラフネス

第3章　MOSデバイスエピタキシャルウェーハのデバイス応用
第1節　表面近傍の結晶性のデバイスへの影響
　1.Grown-in欠陥のデバイスへの影響
　2.ウェーハ加工不良の検出とデバイスへの影響
　3.エピウェーハによる結晶性の向上
　4.エピウェーハの技術課題
　5.今後の課題
第2節　ロジックから見たMOSエピタキシャルウェーハ
　1.はじめに
　2.ロジックLSIのトレンド
　3.高品質エピウェーハの特性
　4.エピウェーハを使ったCMOSプロセス設計
　5.ラッチアップ耐性に対するエピウェーハの影響
　6.基板を介したノイズ伝搬に対するエピウェーハの影響
　7.まとめ
第3節　メモリから見たMOSエピタキシャルウェーハ
　1.はじめに
　2.DRAMから見たエピウェーハ
　3.SRAMから見たエピタキシャルウェーハ
　4.テスティングに関する問題
第4節　フラッシュメモリから見たMOSエピタキシャルウェーハ
　1.はじめに
　2.フラッシュメモリから見たMOSエピタキシャルウェーハ性能

第4章　MOSデバイスエピタキシャルウェーハのゲッタリング
第1節　p/p+・p/p++の酸素析出挙動
　1.はじめに
　2.ボロンハイドープCZ基板における析出の特徴
　3.p/p+,　p/p++エピタキシャルウェーハの析出挙動
　4.おわりに
第2節　重金属汚染に対するゲッタリング
　1.はじめに
　2.Fe汚染におけるPBS,IG,ボロンゲッタリングの等温熱処理時のゲッタリ
ング挙動
　3.PBSとIGの高温と低温プロセスでの違い
　4.p/p++,　p/p+,　p/p?エピウェーハでの低温プロセスにおけるI
G挙動
　5.まとめ
第3節　p/p-エピタキシャルウェーハの酸素析出特性とゲッタリング
　1.p/p-エピウェーハの酸素析出特性
　2.エピ前熱処理による酸素析出促進効果
　3.p/p-エピウェーハのゲッタリング能力

第5章　MOSデバイスエピタキシャルウェーハ品質と評価方法
第1節　品質と評価方法
　1.まえがき
　2.エピタキシャルウェーハと微小欠陥
　3.エピタキシャルウェーハと重金属不純物
　4.エピ層の評価法
第2節　パーティクル評価
　1.パーティクルの検出原理
　2.ウェーハ表面のパーティクル測定
　3.シリコンウェーハの光学特性
　4.ウェーハ表面検査装置によるパーティクルの評価の課題
　5.エピタキシャルウェーハの評価
第3節　高濃度ドープSi基板中の酸素濃度評価
　1.はじめに
　2.貼り合わせ研磨低温IR法
　3.実験
　4.まとめ
第4節　マイクロ波光伝導度減衰法によるエピタキシャルシリコン層の少数キャリアラ
イフタイム測定
　1.はしがき
　2.n/nエピタキシャル層の少数キャリアライフタイム測定
　3.波長520nmの励起光による測定
　4.p/nエピタキシャル層
　5.まとめ
第5節　フォトルミネッセンス法(エピ層ライフタイム,　基板酸素濃度)
　1.はじめに
　2.原理
　3.装置
　4.エピ層ライフタイム評価
　5.高濃度ボロンドープエピ基板酸素濃度評価
第6節　これからの評価技術
　1.エピタキシャルウェーハの要求品質
　2.評価技術の問題点と今後の課題
　3.評価技術の課題のまとめ

第6章　今後のMOSデバイスエピタキシャルウェーハ
第1節　低価格化
　1.200mmエピウェーハのコスト比率
　2.ウェーハ径とウェーハコスト
　3.300mmエピウェーハの低価格化の方法
第2節　大口径化
　1.大口径化
第3節　低温化
　1.はじめに
　2.低温化の効果と課題
　3.低温成長技術
　4.まとめ
第4節　SOI-Epiウェーハ””ELTRAN””
　1.はじめに
　2.はり合わせエッチバック法(BESOI)
　3.　製造方法
　4.　応用