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RLB100087
LSI製造プロセス高性能化 第3編
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■発行:サイペック
■体裁:B5判/229ページ
■発刊:1989/03/31
■ISBNコード:
【監修】
大見忠弘、新田雄久
【目次】
<第3編ULSIプロセス技術>
第1章 ウルトラクリーンテクノロジーが可能にする新しいプロセス技術
まえがき
1. Ultra Clean Technologyの概念
1.1 Environmental Clean Technology
1.2 Energy Clean Technology
2. 外部リークフリーとアウトガスフリー
3. ウルトラクリーンテクノロジーが切り開く新しいプロセス技術
むすび
第2章 ULSIウルトラクリーンプロセス技術
1. DC-RF結合バイアススパッタ技術
1. はじめに
2. 実験
3. 結果及び考察
4. 結論
2. 薄い酸化膜生成技術
1. はじめに
2. 薄い酸化膜生成装置
2.1 システム概要
2.2 ガス供給装置
2.3 排気装置
2.4 石灰反応管
2.5 温度較正
3. 酸化膜の作成とその評価
3.1 酸化膜の形成
3.2 酸化膜の評価
4. まとめ
4.1 システム評価
4.2 今後の課題
3. 超高純度エピタキシャル成長技術
1. はじめに
2. 超高純度エピタキシャル成長装置
2.1 システム概要
2.2 ガス供給系
2.3 排気系
2.4 石英反応管
2.5 サセプター
2.6 ローディング・静電チャック
3. エピタキシャル膜の成長と評価
3.1 エピタキシャル成長
3.2 MOSダイオードによる電気的評価
4. まとめ
4. 高選択性を有するウルトラクリーンCVD技術
1. はじめに
2. 高清浄減圧CVD装置の構成と特性
2.1 ガス制御系
2.2 N2パージボックス
2.3 反応炉及び排気系
3. SiH4による薄膜の形成
3.1 実験方法
3.2 実験結果
4. まとめ
5. 自由分子流照射型低温高速CVD技術
1. はじめに
2. 成膜法の基本概念
3. 分子流制御法
3.1 フローパターンセンサー原理
3.2 フローパターン分析システム
3.3 フローの測定結果
4. 成膜装置の構成及び特徴
5. 低温高速成膜と膜質
5.1 成膜条件
5.2 膜質評価法
5.3 成膜結果
6. まとめ
第3章 LSI製造のメンテナビリティと問題点
1. LSI製造のメンテナビリティと問題点-半導体IC製造工場のTPM
1. TPMとは
2. 半導体IC製造工場の特徴
2.1 ウェーハプロセス工程の特徴
2.2 ウェーハプロセス設備の特徴
3. TPM活動の実際
3.1 方針と目標
3.2 推進の経過
3.3 自主保全
3.4 個別改善
3.5 計画保全
3.6 MP設計と初期流動管理
4. 総合効果
4.1 有形効果
4.2 無形効果
まとめ
2. IC製造設備メンテナンスの現状と課題
1. IC製造工程と製造設備
1.1 IC製造工程の特徴
1.2 IC製造設備
2. ウェーハプロセス設備のメンテナンスの特徴
2.1 製造工程と製造設備
2.2 メンテナンスの特徴
3. ウェーハプロセス設備メンテナンスの現状と課題
3.1 メンテナンス体制
3.2 設備の状況
3.3 製品歩留りと設備メンテナンス
3.4 設備の改善
3.5 安全, 内外環境とメンテナンス
3.6 自動化及び新規設備とメンテナンス
3.7 多種少量生産ラインのメンテナンス
3.8 内製設備と購入設備のメンテナンス
結び
第4章 クリーンルーム
1. スーパークリーンルームの省エネルギー設計と省エネルギー運転
1. まえがき
2. 空気の性質
3. クリーンルームからの発熱量
4. クリーンルームの動力系
5. クリーンルームからの排気
6. 湿度制御
7. 温度制御
8. 空調動力
9. 空調方式による違い
10. まとめ
むすび
2. 省電力型クリーンドラフト
まえがき
1. 東北大学電気通信研究所納入省電力型クリーンドラフトの概要
2. 省電力型ドラフトの開発経緯
3. 実規模モデルによる, エアカーテン部の構造仕様検討
4. 東北大学電気通信研究所納入品の評価テスト結果
5. 改良形電力洗浄装置開発
まとめ
3. 微振動計測と振動対策
1. はじめに
2. 微振動計測システムの概要
3. 微振動の計測とその解析例
4. 地震計測とその解析
5. CR内構造物と精密機器の動特性
6. まとめ-動特性を考慮した微振動対策に向けて-
4. 微振動対策
1. はじめに
2. 精密除振台の対象機器およびその許容振動値の実測例
3. 微振動対策の手法
4. 精密除振台の最適設計と実施例
5. 精密除振台のアクティブコントロール
6. アクティブコントロールの実際
7. あとがき